چکیده :
قرن حاضر پیشرفت های اسای را در زمینه نیمه هادی ها تجربه کرده است .
بسیاری از اکتشاف عظیم در فیزیک از مطالعه برروی امواج در ساختارهای
پریودیک سرچشمه می گیرد . شکاف باند های الکترومغناطیسی دسته ای
جدید از دی الکتریک های متناوب هستند ه می توان آنها را جایگزین فوتونیکی
نیمه هدی ها دانست . امواج الکترومغناطیسی در EBG رفتاری مشابه الکترون ها
در نیمه هادی هادارند . تناوب در این مواد باعث جلوگیری از انتشار امواج در یک
فرکانس معین می شود .
ظهور ساختارهای EBG کاربردهای آنتنی بسیار جدیدی را به همراه داشت . دو
ویژگی اساسی شکاف باند های الکترومغناطیسی مصنوعی است امروزه بسیاری
از آنتن ها بایتی کوچک و پهن باند باشند دستیابی به چنین انتن هایی نیاز به زیر
لایه ی ضخیم با گذر دهی الکتریکی بالا دارد . چنین زیر لایه ای دو عیب عمده دارد :
ماده ای با گذر دهی بالا از نظر اقتصادی مقرون به صرفه نیست و دومین ایراد به
مدل های زیر لایه ای ناخواسته باز می گردد که در لبه های زیر لایه منتشر و اثر
مخربی بر پترن تشعشعی آنتن دارند .در سال 1990میلادی محققان یک ساختار