“M.Sc” پایان نامه برای دریافت درجه كارشناسی ارشد
مهندسی برق  الكترونیك
عنوان :
نانوترانزیستور و كاربرد آن در مدارهای دیجیتال
برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود
تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

(ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل است)

چكیده:

خصوصیات ویژه نانوتیوبهای كربنی در حوزه الكترونیك باعث گسترش كاربرد آنها در زمینه های متفاوت شده است. در این پروژه به بررسی كاربرد نانوتیوبهای كربنی در ساخت ترانزیستورهای FET خواهیم پرداخت . در ابتدا ساختارهای متفاوت نانوتیوبها ، نحوه تشكیل و خصوصیات هر یك از آنها مورد مطالعه قرار گرفته است.

ما بر روی ترانزیستورهای FET  ساخته شده با بهره گرفتن از نانوتیوبهای كربنی (CNFET) و مدلس   ازی آنها متمركز خواهیم شد . این ترانزیستورها بدلیل امكان ساخت در محدوده ابعادی نانو ، جریان دهی بالستیك ( یا شبه بالستیك ) دارند . بنابراین جهت مدلسازی از تئوری ترانزیستورهای با لستیك استفاده شده است . در این پروژه هدف از مدلسازی این نوع ترانزیستور ها كاربرد آن در شبیه سازی مدارهای دیجیتال بوده و با توجه به كاربرد در نظر گرفته شده ، ساده سازیهایی انجام شده تا در نهایت مدل ساده ای ارائه گردد كه توانایی به كارگیری توسط نرم افزار شبیه سازی مداری (HSPICE) را داشته باشد . مدل ارائه شده با بهره گرفتن از این نرم  افزار (بصورت یك زیر – مدار ) و به منظور شبیه سازی مدارهای دیجیتال و گیتهای منطقی بكار گرفته شده است.